力旺电子最新推出编写次数超过50万次的嵌入式EEPROM（电子抹除式可复写唯读记忆体）矽智财(Silicon IP)，符合高温、耐用及生命周期长的车规标准，为力旺在车用电子市场的最新布局。

这项强化版IP是力旺NeoEE嵌入式EEPROM家族的最新产品。新版IP编写次数是原版的数十倍，编写/抹除(Program/Erase)时间则缩减近半，资料保存期限在150。C高温操作下可达10年。

新版NeoEE与现有逻辑制程及车规常用的BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)制程完全相容，无需外加光罩即可整合至不同类型之制程平台。这项IP已通过晶圆厂0.18um/5V制程平台的验证，力旺已着手布建这项技术至其他5V平台。

强化版NeoEE非常适合有高编写需求的应用，包括指纹辨识、智慧卡、NFC、RFID，电源管理IC和微处理器等。此外，这项IP的耐受度(endurance)、高温操作及生命周期完全依照AEC-Q100的车规标准设计，并通过严格的测试。

可编写记忆体经过重复编写後，稳定度会逐次递减，主要是因为重复编写会改变记忆体的电子分布，导致编写和抹除位元间的讯号差异愈来愈不明显，最後终至无法分辨。

力旺电子的嵌入式非挥发性记忆体(Non-volatile Memory)矽智财市占率领先全球，已累积十多年的量产经验。此次力旺透过优化记忆体单元架构及采用新的编写/抹除运算法，减轻重复编写造成的记忆体损耗，大幅提升NeoEE的重复编写能力至50万次以上。

强化版NeoEE经过长达2,500个小时150。C高温测试後，编写和抹除位元状态依旧稳定，并无电流(压)增加或流失的现象。

NeoEE结构简单，抹写次数可高达1千至50万次以上，最高容量达16K bits，可操作温度区间为-40~150。C，资料保存期限长达10年。

由於与现有逻辑制程完全相容，NeoEE无需外加任何光罩即可整合至不同类型之制程平台，代工厂导入成本极低且可节省产品开发时间。另外，NeoEE还具备低功率消耗的优点。

NeoEE 矽智财以标准5V MOS制程平台为开发基础，容易整合至车用电子常使用的高压(HV) 及BCD等制程平台。从成本及安全角度考量，结构简单、安全的NeoEE是取代传统外挂式EEPROM的理想选择。