在超薄晶圆打薄的过程中，将面对的主要挑战有以下几点。首先是引起应力的广泛性热循环、热膨胀系数（CTE）失配、机械研磨、金属沉积过程等；再来是物品的化学抗性，包括光刻用溶液、金属蚀刻化学品、一般清洗溶剂等。而物品的化学相容性则需注意包括金属、EMC、聚??亚涞等。

薄晶圆必须和临时解键合材料键合以保持完整性，同时保证解键合过程不会太长或太难。

镭射解键合是最先进的解键合技术之一，然而在过程中也会产生许多问题。接合材料可提供适当的黏着性，可接合并同时支撑两个基材，以利晶圆堆供下游处理，而且保持与雷射剥离材料交互作用的能力，以便加工後在需要时选择性剥离。玻璃载体上的晶圆涂有雷射剥离材料，该雷射剥离材料的光学密度可将雷射辐射限制在载体表面附近，进而防止雷射能量接触元件晶圆。结合两种精心设计的材料，可提供大幅减少晶圆弯曲的机械稳定性以及热稳定性，因此能以背面制程进一步支撑晶圆堆。

BREWER SCIENCE指出，在先进封装制程中，大部分晶圆应用皆可利用机械或雷射剥离技术；若为面板级制程（PLP），雷射剥离则是首选剥离技术。机械和雷射剥离两种方法都有在室温进行（相对於在高温进行以软化接合材料的热滑动剥离）、为低应力技术，以及在剥离期间能够支撑薄化元件晶圆/面板支撑等优点，在移除载体基材後可增加机械完整性。相较於机械剥离的每小时 20 个晶圆，雷射剥离的每小时 50 个晶圆具有较高生产能力。当元件基材剥离後，将需要清洗。可用的选项包括化学清洁，电浆清洁或剥离程序。

在整个过程中，薄晶圆必须和临时解键合材料键合以保持完整性，同时保证解键合过程不会太长或太难，然而过程中有些要求必须被满足。基本上，与机械或雷射剥离一起使用时，剥离材料有助於加速剥离过程。临时接合技术的最终目标，是在下游制程完成时，从支持载体选择性剥离。BREWER SCIENCE的剥离材料专为搭配接合材料运作，以在处理晶圆时提供机械和热支持，并使晶圆堆在正确的介面处剥离。