美光科技今日宣布首款176层3D NAND快闪记忆体已正式出货，实现前所未有的储存容量和效能。美光最新的176层技术及先进架构为一重大突破，可大幅提高资料中心、智慧边缘运算以及手机装置等储存使用案例的应用效能。

美光的176层NAND层数比最接近的竞争对手高出近40%，读取和写入延迟更改善超过35%。

美光技术与产品执行??总裁Scott DeBoer指出：「美光的176层NAND为业界树立了新标竿。此层数比最接近我们的竞争对手高出近40%。结合美光的CuA（CMOS-under-array）架构，该技术使美光得以维持在产业中的成本领先优势。」

美光的176层NAND是美光第五代3D NAND以及第二代替换闸（Replacement Gate）架构，为技术最先进的NAND节点。与上一代高容量3D NAND相比，美光176层NAND的读取和写入延迟改善超过35%，大幅提高应用的效能。加上其设计精巧，采用比同业最隹竞品还要小30%的晶粒，能最隹实现小尺寸解决方案。

美光执行??总裁暨业务长Sumit Sadana指出：「美光的176层NAND有助客户实现突破性的产品创新。我们正广泛地将这项技术使用在所有可能采用NAND的产品线中，并为使用NAND的所有领域带来新价值，尤其是5G、人工智慧、云端及智慧边缘运算的成长机会。」

美光176层NAND具备通用的设计和领先的储存容量，是众多应用领域中不可或缺的重要元件，包括手机储存、自动驾驶系统、车载资讯娱乐系统以及客户端和资料中心固态硬碟（SSD）。

此外，美光提供了更好的服务品质（QoS)，使其176层NAND成为资料中心SSD的关键设计标准，它可以加速资料密集环境和工作负载，例如资料湖、人工智慧引擎以及大数据分析；还能使5G智慧型手机更快在多个应用程式之间进行载入和转换，创造更流畅且快速的手机使用体验，实现真正的多工作业，充分利用5G低延迟网路。

美光第五代3D NAND的ONFI（Open NAND Flash Interface）汇流排，提供最高的资料传输率1,600MT/s，提升了33%。ONFI的速度提升可加快系统启动并强化应用效能。在汽车应用中，此速度将在引擎启动後立即为车载系统提供接近即时的回应时间，有助於加强使用者体验。

美光正与业界开发商展开合作，以迅速将新产品整合至解决方案中。为简化韧体研发，美光的176层NAND采用一次写入演算法（One-Pass Program），使整合更容易并加快上市时间。

随着摩尔定律放缓，美光在3D NAND的创新对确保业界跟上不断增加的资料需求至关重要。为了实现此里程碑，美光独家结合其堆叠式替换闸架构、崭新的电荷捕捉储存方式以及CuA（CMOS-under-array）技术。

美光3D NAND专家团队亦利用公司的CuA专利技术取得飞快的进展，在晶片逻辑上建造多层次堆叠，使更多记忆体能够装入更紧密的空间，并大幅度地缩小了176层NAND的晶粒尺寸，从而使每个晶圆达到更高的GB。

同时，美光透过将其NAND单元技术从传统的浮闸式转变为电荷捕捉式，改善未来NAND的可扩充性以及效能。此电荷捕捉技术结合美光的替换闸架构，并利用高导电性金属字元线（word line）代替矽层以实现无与伦比的3D NAND效能。美光采用此技术也使公司得以有效地领先业界降低生产成本。

美光透过采用这些先进技术来改善耐用性，对航空业的黑盒子和影像监控录影等密集写入的使用案例特别有益。在手机储存方面，176层NAND的替换闸架构可使混合工作负载效能提高15%，以支援超快速边缘运算、强化AI推论以及高画质且即时的多人游戏。

美光176层三层单元3D NAND已於美光新加坡晶圆厂量产，并透过Crucial消费型SSD产品系列向客户出货。美光预计於2021年推出采用此技术的其他新产品。