盛美半导体设备（上海）宣布，推出支援化合物半导体制造的综合设备系列。公司的150-200毫米相容系统将前道积体电路湿法系列产品、後道先进晶圆级封装湿法系列产品进行拓展，可支援化合物半导体领域的应用，包括砷化?? (GaAs)、氮化?? (GaN) 和碳化矽 (SiC) 等制程。化合物半导体湿法制程产品线包括涂胶设备、显影设备、光阻去胶设备、湿法蚀刻设备、清洗设备和金属电镀设备，并自动相容平边或缺囗晶圆。

盛美上海董事长 王晖博士表示，随着不同市场的需求增长，化合物半导体行业正在迅猛发展。通过对这个行业的调研，应利用现有的前道积体电路湿法和後道先进晶圆级封装湿法系列产品中重要的专业知识和技术，来提供满足化合物半导体技术要求的高性价比、高性能产品。盛美上海提供了重要的增长机会，因为 GaAs、GaN 和 SiC 器件正成为未来电动汽车、5G 通信系统和人工智慧解决方案日益不可或缺的一部分。

Ultra C 碳化矽清洗设备：盛美上海的Ultra C碳化矽清洗设备采用硫酸双氧水混合物 (SPM) 进行表面氧化，并采用氢氟酸 (HF) 去除残留物，进行碳化矽晶圆的清洗。该设备还集成盛美上海的SAPS 和 Megasonix? 技术实现更全面更深层次的清洗。Ultra C 碳化矽清洗设备可提供行业领先的清洁度，达到每片晶圆颗粒?10ea0.3um，金属含量＜ 1E10atoms/cm3水准。该设备每小时可清洗超过 70 片晶圆，将於 2022 年下半年上市。

Ultra C 湿法刻蚀设备：可为砷化??和磷化???? (InGaP) 制程提供＜2% 的均匀度，＜ 10% 的共面度及＜ 3% 的重复度。Ultra C 湿法刻蚀设备可提供行业领先的化学温度控制、刻蚀均匀性。该设备将於 2022 年第三季度交付给某重要客户，并由其进行测试。

Ultra ECP GIII 1309 设备：盛美上海的Ultra ECP GIII 1309 设备集成了预湿和後清洗腔，支援用於铜、镍和锡银的铜柱和焊料，以及重分布层 (RDL) 和凸点下金属化 (UBM) 制程。设备实现了晶圆内和模内小於3%的均匀度和小於2% 的重复度。该设备已於 2021 年中交付给客户，并满足客户技术要求。

Ultra ECP GIII 1108 设备：Ultra ECP GIII 1108 设备提供金凸块、薄膜和深通孔制程，集成预湿和後清洗腔。设备采用盛美上海久经考验的栅板技术进行深孔电镀，以提高阶梯覆盖率。它可达到晶圆内和模内＜ 3%的均匀度和＜ 2% 的重复度。腔体和制程槽体经过专门设计，可避免金电镀液的氧化，且制程槽体具有氮气吹扫功能，可减少氧化。该设备已於去年年底交货给关键客户。

Ultra C ct 涂胶设备：盛美上海的Ultra C ct 涂胶设备采用二次旋转涂胶技术，可实现均匀涂胶。设备拥有行业领先的优势，包括精确涂胶控制、自动清洗功能、冷热板模组以及每个腔体的独立程序控制功能。

Ultra C dv 显影设备：在化合物半导体制程中，盛美上海的Ultra C dv 显影设备可进行曝光後烘烤、显影和硬烤的关键步骤。设备利用盛美上海的先进技术，可按要求实现+/-0.03 LPM的流量和 +/-0.5 摄氏度的温度控制。

Ultra C s刷洗设备 ：Ultra C s 刷洗设备以盛美上海先进的湿法清洗技术为基础，实现优秀的污染物去除效果。该设备通过氮气雾化二流体清洗或高压清洗实现高性能，以更有效地清洗小颗粒。此外，设备还可相容盛美上海特有专利的兆声波清洗技术，以确保良好的颗粒去除效率（PRE），且不会损坏精细的图形结构。

Ultra C pr 湿法去胶设备：盛美上海的Ultra C pr湿法去胶设备利用槽式浸泡和单片制程，确保高效地进行化合物半导体去胶。该设备最近由一家全球领先的整合元件制造商（IDM）订购，用於去除光刻胶，这进一步验证了盛美上海的技术优势。

Ultra SFP无应力抛光设备：Ultra SFP 为传统的化学机械抛光在矽通孔 (TSV) 制程和扇出型晶圆级封装 (FOWLP)应用提供了一种环保替代方案。在 TSV 应用中，盛美上海的无应力抛光 (SFP) 系统可通过运用专有的电抛光技术去除低至 0.2μm 的铜覆盖层，再使用传统的 CMP 进一步去除剩馀铜至阻挡层，并通过湿法刻蚀去除阻挡层，从而显着降低耗材成本。对於 FOWLP，相同的制程可以克服由厚铜层应力引起的晶圆翘曲，并应用於RDL中铜覆盖层并平坦化 。