为了大幅提升宽能隙（碳化矽和氮化??）半导体的产能，进一步巩固和增强其在功率半导体市场的领导地位。英飞凌科技将斥资逾20亿欧元，在马来西亚居林工厂建造第三个厂区。建成之後，新厂区将用於生产碳化矽和氮化??功率半导体产品。

英飞凌位於马来西亚居林的前端制造基地鸟瞰图，新厂区落成将用於生产碳化矽和氮化??功率半导体产品。

此次扩建是英飞凌根据公司半导体生产制造长期战略的决策，居林工厂在8寸晶圆生产方面所取得的规模经济效应为该专案奠定良好的基础。英飞凌位於奥地利菲拉赫和德国德勒斯登的12寸晶圆厂奠定了公司在半导体市场的领导地位。居林工厂的投资扩产将进一步巩固和提升地位，强化公司整体的竞争优势。

英飞凌营运长 Jochen Hanebeck 表示：「创新技术和绿电能源的应用，是降低碳排放的关键。再生能源和电动汽车是推动功率半导体市场持续强劲增长的主要驱动力。英飞凌透过扩大碳化矽和氮化??功率半导体的产能，为迎接宽能隙半导体市场的快速发展做好准备。我们正在将位於菲拉赫的开发能力中心与居林工厂高成本效益的宽能隙功率半导体生产制造相结合，打造成功的组合。」两处拥有宽能隙半导体量产能力的工厂将增强供应链弹性。

根据Yole发布2021年第三季度化合物半导体市场监测报告氮化??市场显示预计，碳化矽功率半导体的销售额将会激增，从2020年的4,700万美元增至2025年的8.01亿美元（年复合增长率：76%）。目前英飞凌已向3,000多个客户提供基於碳化矽的半导体产品，被广泛应用於各领域。英飞凌秉承「从产品到系统」的战略方针，推动了碳化矽半导体在工业电源、光伏、交通运输、驱动、汽车和电动车充电等核心领域的应用。英飞凌目标至本世纪 20年代中期，碳化矽功率半导体的销售额将提升至10亿美元。

未来几年，菲拉赫工厂将透过改造现有的矽晶圆制造设备，强化其宽能隙半导体技术全球能力中心和创新基地的角色。透过重新利用非专用的矽晶圆生产设备，将6寸和8寸的矽晶圆生产线转作为碳化矽和氮化??元件的生产线。

英飞凌对居林工厂的新增投资主要用於磊晶制程和晶圆切割等具有高附加值的环节。预估居林新厂区满负荷运转之後，将创造900个高价值型就业机会。新厂区将於今年6月开始施工，在 2024 年夏季进行设备安装。首批晶圆将於2024年下半年开始出货。