账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
纽约大学理工学院和法国CEA-Leti合作开发12寸晶圆磁性记忆体元件
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2024年06月25日 星期二

浏览人次:【1022】

纽约州立大学理工学院(NYCREATES)和法国电子暨资讯技术实验室(CEA-Leti),宣布建立战略研发夥伴关系,初期将聚焦於用於储存电脑数据的磁性记忆体元件的研发,并将在300mm晶圆上进行生产。

/news/2024/06/25/1958373990S.jpg

第一个联合研究项目旨在展示两种新型记忆体装置:自旋轨道力矩(SOT)磁阻式随机存取记忆体(MRAM),和自旋转移力矩(STT)MRAM。虽然两种形式的MRAM都透过操纵不同材料的磁化来储存数据,但STTMRAM提供了几??没有功率泄漏的非挥发性记忆体;SOTMRAM被认为更快、更高效。

这两个研发组织的领导者都希??这项为期两年的合作能够利用NYCREATES以奥尔巴尼奈米技术中心为中心的300mm晶圆研发生态系统,该中心是北美最先进的非营利半导体研发机构。CEA-Leti将提供其世界一流的工程服务和专业知识,在300mm晶圆上生产可用的记忆体元件。

NYCREATES总裁DaveAnderson表示,通过扩大我们与CEA-Leti的合作夥伴关系,并应用其在装置物理和架构方面的专业知识,NYCREATES期待共同开发创新的运算技术。本次合作的重点是新型记忆体,是可以共同突破的领域。这项合作的首要目标将是开发新型磁性记忆体架构和整合。随着运算能力不断进步,这种国际合作夥伴关系将有助於满足当今的记忆体需求。

CEA-Leti执行长SebastienDauve表示,这项合作将使CEA-Leti扩大其能力。双方的合作将成为NYCREATES和CEA-Leti在实验室到工厂的转型更有效率,并通过更成熟的创新将对各自的生态系统产生更好的影响。

關鍵字: MRAM  CEA-Leti 
相关新闻
为台湾嵌入式记忆体技术奠基 国研院发表SOT-MRAM研发平台
2021 VLSI台湾供应链优势再现 实现记忆体内运算与AI创新
工研院於IEDM发表下世代FRAM与MRAM技术获国际肯定
STT-MRAM技术优势多 嵌入式领域导入设计阶段
群联携手Everspin 发展整合MRAM的SSD控制晶片
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术
» 超越MEMS迎接真正挑战 意法半导体的边缘AI永续发展策略
» 光通讯成长态势明确 讯号完整性一测定江山
» 分众显示与其控制技术
» 新一代Microchip MCU韧体开发套件 : MCC Melody简介


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BO0IRLCWSTACUKV
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw