奥地利微电子的晶圆代工厂业务部为扩展其具有成本效益且快速的ASIC原型服务，也称为多项目晶圆 (Multi-Project Wafer;MPW) 或 shuttle run，推出一份更完整的2008年度时间表。这项服务可将不同用户的设计结合在一个晶圆上，可以帮助不同的客户分摊晶圆和光罩成本。

奥地利微电子的MPW服务包括采用台积电0.35微米CMOS制程。兼容硅锗(SiGe)BiCMOS技术的CMOS有助于在一个ASIC中以高达10 GHz的工作频率及高密度数字组件实现RF电路设计。0.35微米高压CMOS制程系列中20V CMOS非常适用于电源管理产品和显示器驱动器；50V CMOS制程则适用于汽车和工业应用，能够满足客户的高压应用方案和产品需求。先进高压CMOS制程加上嵌入闪存功能丰富了奥地利微电子MPW服务内容。此外，透过与IBM合作开发，奥地利微电子首次在原型服务中提供了先进的0.18微米高压CMOS技术H18。H18制程技术是以备经业界验证的IBM 0.18微米CMOS制程CMOS7RF为基础，非常适用于手机、PDA、可携式媒体播放器以及其他行动装置中的智能型电源管理 IC。

为充分利用MPW服务的优势，奥地利微电子的代工客户需要在特定日期提交其GDSII数据，可在较短的交货时间内收到未经测试的封装样品或裸片，CMOS通常为8周，0.35微米高压CMOS、SiGe-BiCMOS和嵌入式闪存制程为10周。所有0.35微米MPW均在奥地利微电子位于奥地利的先进 8英寸晶圆制造设备生产。