快捷半导体（Fairchild Semiconductor）宣布在印度的普那（Pune）成立设计中心。此一研发中心将负责快捷半导体新一代功率MOSFET和IGBT技术的设计和开发，支持太阳能逆变器（solar inverter）、不断电系统（uninterruptible power supplies；UPS）、汽车、照明和镇流器等应用。

该印度研发中心聘有专业的电子工程师，他们均拥有丰富的设计经验，对于功率设计，尤其是低电压功率设计的要求了如指掌。快捷半导体选择印度普那作为研发中心的所在地，是因当地靠近几个以工程技术为重点的优秀院校和教育机构，而且也是不同研究机构的所在地，与当地的高等教育相辅相成。此外，普那在汽车制造领域也拥有强大的实力。

快捷半导体可提供业界最广泛的产品系列，从1W到大于1200W 的产品一应俱全，可完全满足市场对高能效产品的需求。由于全球的燃油供应不断减少，而各国也相继推出有关应用产品能效的各种强制性法规与标准，因此市场对更低功耗、更节能的新技术之需求持续上升。快捷半导体专注于先进产品和解决方案的开发，以协助所有电子应用实现高功效的性能。