快捷半導體（Fairchild Semiconductor）宣佈在印度的普那（Pune）成立設計中心。此一研發中心將負責快捷半導體新一代功率MOSFET和IGBT技術的設計和開發，支援太陽能逆變器（solar inverter）、不斷電系統（uninterruptible power supplies；UPS）、汽車、照明和鎮流器等應用。

該印度研發中心聘有專業的電子工程師，他們均擁有豐富的設計經驗，對於功率設計，尤其是低電壓功率設計的要求瞭若指掌。快捷半導體選擇印度普那作為研發中心的所在地，是因當地靠近幾個以工程技術為重點的優秀院校和教育機構，而且也是不同研究機構的所在地，與當地的高等教育相輔相成。此外，普那在汽車製造領域也擁有強大的實力。

快捷半導體可提供業界最廣泛的產品系列，從1W到大於1200W 的產品一應俱全，可完全滿足市場對高能效產品的需求。由於全球的燃油供應不斷減少，而各國也相繼推出有關應用產品能效的各種強制性法規與標準，因此市場對更低功耗、更節能的新技術之需求持續上升。快捷半導體專注於先進產品和解決方案的開發，以協助所有電子應用實現高功效的性能。