恒忆（Numonyx）与英特尔（Intel）宣布，相变化内存（PCM）研究的关键性突破，此项非挥发性内存技术结合了现今多种类型内存的优点。研究人员也首度展示可于单一芯片堆栈多层PCM 数组的64Mb测试芯片。对于随机存取非挥发性内存及储存应用而言，此一成果将为发展容量更高、功耗更低且体积更小的内存装置奠定重要基础。

该计划着重于研究多层式或堆栈式PCM单元数组。恒忆与英特尔双方的研究人员目前已展示PCMS（相变化内存及开关）的垂直式整合内存单元。PCMS包含一个PCM组件，此组件与全新的堆栈双向阈值开关（Ovonic Threshold Switch,OTS）堆栈于交叉点数组（cross point arrays）中。其堆栈PCMS数组的能力有助扩展内存容量，同时维持PCM的效能特性，这对于传统的内存技术而言是相当不易克服的挑战。

内存单元是由储存组件及选择器堆栈而成，而多个单元又组成内存数组。恒忆与英特尔的研究人员现已利用薄膜双终端OTS做为选择器，以符合PCM扩充时的实体及用电需求。透过薄膜PCMS的兼容性，多层的交叉点内存数组目前已成为可能。当整合并嵌入交叉点数组后，多层式数组便可结合CMOS电路的译码、侦测及逻辑功能。

更多关于内存单元、交叉点数组、实验及成果的信息登载于“A Stackable Cross Point Phase Change Memory”这份共同文件中，并且将于2009年12月9日在美国马里兰州巴尔的摩举行的2009年国际电子装置会议（International Electron Devices Meeting）中发表。此文件由恒忆与英特尔双方的技术人员共同完成，并将由英特尔资深首席工程师DerChang Kau代表发表。