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Hynix成功开发0.10微米制程DDR
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2002年10月30日 星期三

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据外电报导,韩国半导体业者Hynix日前宣布,该公司已成功以0.10微米制程技术,开发出512M的DDR SDRAM产品。

韩国经济新闻报导指出,Hynix继由0.18微米升级至0.15微米制程的“Blue Chip”计画,与自0.15微米升级至0.13微米制程的“Prime Chip”专案后,再度导入使技术升级的“Golden Chip ”专案,开发出0.10微米制程产品。

而Hynix强调,该公司的技术升级皆利用原有设备,不仅减少50%左右的投资成本,“Golden Chip”晶粒产量亦比“Prime Chip”专案增加了40%以上。 Hynix计划在2002年底生产512M DDR后,再于2003上半年导入此技术,以量产256M DDR与1G DDR产品。

Hynix表示DDR产品逐渐成为市场主流,而该公司将继续透过技术升级,以技术力与成本竞争力为基础,确保该公司的全球市占率。

關鍵字: Hynix  动态随机存取内存 
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