据Digitimes报导，晶圆代工市场高阶制程产能持续吃紧，台积电、联电12吋晶圆产出量，在第二季正式达到单月1万片水准；台积电12吋厂主力为0.13微米铜导线材料，联电则以0.13微米与0.15微米制程并重；至于IBM现阶段12吋单月产出量仍低于5000片。但3大晶圆厂均预估，2003年底12吋晶圆厂单月产出量可达到2万片水准。

该报导指出，台积电、联电现有0.13微米制程产能再度呈现满载状态，12吋厂晶圆产出量亦正加快速度上扬，台积电除将8吋厂Fab 6单月产出2.5万片最大产能全数转向0.13微米制程，12吋晶圆厂铜制程也在提高绝缘材料良率后，单月产出片数大幅提升，包括Altera、NVIDIA与ATi等主力客户，在0.13微米铜制程投片比例持续增加，包括0.13微米与0.15微米制程的12吋晶圆厂Fab12单月产出量已经站上1万片水准。

至于联电在客户智霖（Xilix）对高阶制程需求的带动下，现阶段12吋晶圆厂产出量也拉高到单月1万片水准，但相较于台积电客户端集中在0.13微米铜导线材料，联电12吋晶圆ab 12A主流制程集中在0.15微米铝导线材料，0.13微米铜导线材料比重略低。

而IBM在2002年8月在纽约州East Fishkill正式启动的12吋厂，经过近一年的良率调整，现阶段单月产出量据说已超过3000片，并集中在铜、铝导线CMOS的0.13微米制程，产出量偏低主因在既有客户仍在调整0.13微米良率。

面对美国为主的IDM释出订单与IC设计高阶制程需求，台积电、联电与IBM 3大晶圆厂对12吋产出预估均可站上2万片水准，到2003年底，台积电Fab12的0.13微米制程晶圆单月产出将逼近1.5万片，而联电、IBM预估下半年0.13微米铜导线材料单月产出量将可以较上半年倍增，加上主力客户已确定0.13微米制程产出时间表，单月2万片12吋晶圆产出预估可望顺利达成。