追求高效率的高功率应用持续往更高功率密度及成本最隹化发展，也为电动车等产业创造了永续价值。为了应对相应的挑战，英飞凌今日宣布其高压MOSFET适用的QDPAK和DDPAK顶部冷却（TSC）封装已成功注册为JEDEC标准。

英飞凌今日宣布其高压MOSFET适用的QDPAK和DDPAK顶部冷却（TSC）封装已成功注册为JEDEC标准

这项举措不仅进一步巩固了英飞凌将此标准封装设计和外型的TSC封装推广至广泛新型设计的目标，亦提供OEM制造商更多的弹性与优势，在市场中创造差异化的产品，并将功率密度提升至更高水准，以支援各种应用。

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英飞凌高电压封装首席工程师Ralf Otremba表示：「身为解决方案供应商，英飞凌持续透过创新的封装技术和制程，对半导体产业发挥影响力。我们先进的顶部冷却封装为装置和系统层级带来显着优势，满足尖端高功率设计的挑战性需求。封装外形标准化可确保不同厂商设计的针脚相容性，这是OEM厂商在高电压应用所面对的主要设计考量之一，由此让OEM厂商不再需要在这一方面费心。」

50多年来，JEDEC组织持续领导全球微电子产业进行各种技术，包括封装外型的开放式标准的开发以及出版品工作。JEDEC广纳各种半导体封装，例如TO220和TO247通孔装置THD）这类装置在过去几十年来受到广泛采用，目前仍是新型车载充电器（OBC）设计、高压 （HV）和低压（LV）DC-DC转换器的设计选项。

QDPAK和DDPAK表面黏着（SMD）TSC封装设计的成功注册，意谓着封装外形将迎来崭新纪元，将推动市场更广泛地采用TSC技术以取代TO247和TO220。凭藉这一技术优势以及根据MO-354标准，此项新JEDEC注册封装系列将成为高压工业和汽车应用过渡至下一代平台中顶部冷却设计的重要推手。

为了协助客户进行TO220和TO247 THD装置的设计过渡，英飞凌特别推出可提供同等散热能力与较隹电气效能的QDPAK和DDPAK SMD装置。

适用於HV与LV装置的QDPAK和DDPAK SMD TSC封装采用2.3 mm标准高度，可让开发人员使用所有相同高度的 SMD TSC 装置来设计完整应用，例如OBC和DC-DC转换。相较於必须使用3D冷却系统的现有解决方案，此封装不只对设计更有利，还可降低冷却系统成本。

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此外，TSC封装最多可比标准底层冷却（BSC）降低35%的热阻。TSC封装充分发挥PCB双面的效益，可提供较隹的电路板空间利用率以及至少两倍的功率密度。由於封装引脚热阻比外露的封装顶部高了许多，因此基板的热解耦也可提升封装的热管理。

散热效能提升後，就不必再堆叠各种不同板子。所有元件只要单一FR4就足够，不用结合FR4和IMS，需要的接头也较少。这些功能对整体物料清单（BOM）都有助益，最终可降低整体系统成本。

除了提升散热和功率能力，TSC技术也提供最隹化的电源??路设计，因为驱动器配置可以非常靠近电源开关，所以更加稳定。驱动器开关??路的低杂散电感则可降低??路寄生效应，因此闸极振荡较少、效能较高、故障风险较小。