英特尔宣布该公司45奈米(nm)逻辑制程技术出现重大突破。该公司已经运用最新45奈米制程技术生产出一颗全功能的SRAM(静态随机存取内存)芯片。45奈米制程是英特尔下一代可量产之半导体制程技术。Intel计划于2007年开始以12吋晶圆制造新芯片，并且持续实践摩尔定律，以每两年的时程发表新世代制程技术。

目前英特尔已量产65奈米制程技术的半导体组件，该公司有亚历桑那州与奥勒冈州两座晶圆厂生产65奈米芯片，爱尔兰与奥勒冈州的另外两座晶圆厂也将于今年（2006年）开始启动生产线。

英特尔的45奈米制程技术将使芯片的漏电率比现今芯片降低五倍以上，有助于提高行动装置的电池续航力，给予业者更多机会开发体积更小、性能更强的平台。每一个45奈米SRAM芯片内含超过10亿个晶体管。虽然SRAM并非英特尔的产品线，但它示范了采用45奈米制程的处理器以及其他逻辑芯片时，所需要的技术效能、制程良率以及芯片可靠度。

英特尔除了宣布位于奥勒岗州的D1D晶圆厂正开始发展45奈米制程技术的产能，该公司同时也指出正在兴建位于亚历桑那州的Fab 32以及以色列的Fab 28晶圆厂，这两座高产能晶圆厂都将运用45奈米制程技术生产芯片。