外电消息报导，韩国政府日前宣布，将与三星电子及海力士合作，进行磁性随机内存（Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory；MRAM)）的研发，以维持韩国在全球内存产业的领先地位。

据报导，这项合作计划将由韩国负担一半的成本，金额为240亿韩元（约2,080万美元），而三星与海力士则共同出资另一半。韩国政府表示，目前研发中心已安装了12吋的磁性薄膜沈积系统，及其他芯片制造设备，相较于日本所使用的8吋沈积系统，韩国将更具优势。

韩国半导体部门的官员表示，只要STT-MRAM技术顺利研发完成，韩国有望在2015年时，掌握约45%的30奈米制程内存芯片市场，预估产值将达530亿美元。此外，这个合作案将让韩国掌握MRAM的基础技术，并在半导体产业维持世界级的竞争力。

有鉴于Flash内存技术在耐用性与微型化的发展上困难重重，因此，多家业者已着手研发新一代的非挥发内存技术，包含相变内存(Phase-Change Memory;PCM)、FRAM与MRAM等，都是各家业者正积极研发的选项。而其中MRAM在性能与市场接受度上都有较佳的表现，因此有可能成为未来市场的主流方案。