日本东芝（TOSHIBA）近日密集地公布与其他知名半导体厂商、合作设计开发先进半导体制造技术的计划，有意与日立（Hitachi）、三星（Samsung）及英特尔（Intel）相互抗衡。

据报导，2月初东芝、NEC与新力（SONY）共同宣布将整合研发资源，计划继Intel之后联合开发0.045微米芯片制造工艺技术。NEC的发言人索菲向媒体表示，此阶段0.045微米芯片制造工艺技术的研究方向，将因应未来数字影音和行动设备的市场趋势，因为对其而言，提升高速传输和低耗电量的功能是极其关键的。

东芝和新力在二年前就曾宣布联合开发0.045微米工艺，去年2005年11月份东芝与NEC也达成了相似的协议，当时业界便传言三家公司即将连手开发芯片制造技术。根据日前公布的计划，NEC工程师将与已在东芝先进微电子中心工作的大约150名新力和东芝技术人员相互合作。计划中并未披露何时完成开发工作的时间表，但协议的有效期是到2007年9月份为止。

紧接着在2月7日，IBM、新力与东芝亦联合宣布，将连手开发0.032微米的新一代大规模集成电路（IC），并具体规划在2013年开始市场量产，就是为因应与Samsung和Intel的另一波竞争态势。这3家公司并非首次合作，过去5年他们曾在0.090微米和0.065微米的芯片研究上，拥有深厚的共同研发经验。他们再度计划于今后5年内，整合各部门有关研究开发人员，集中至IBM在纽约的研究基地，开发0.032微米大规模集成电路所必备的基础技术。其中，东芝集中火力在提升加工技术和制造能力方面；Sony则是发挥整合多样化的半导体制程技术、以及深入了解消费者市场动态的优势；IBM则继续提供其在研究材料技术的宝贵经验。