半导体制造商ST，首度揭露了能在薄膜被动组件整合过程中大幅提升接面电容密度的突破性技术。这种新技术扩展了ST领先全球的IPAD（整合式被动与分离式组件）技术，能实现大于30nF/mm2的电容整合度，较当前采用硅或钽等氧化物或氮化物的技术提高了50倍。

新技术是以一种PZT Perovskites的材料为基础。这种材料实质上是一种由铅、锆、钛与氧组合而成的化合物。当锆和钛的比例不同时，这种材料存在的方式会有很大变化。这些材料具有非常高的介电常数，依特殊材料而定，大约可达到900，是二氧化硅的200倍。值得一提的是，这种材料在已经过验证的大量IPAD制造过程中，整合成本非常低。

这些整合持续面临的挑战是寻找能实现整合电阻或电容价值的新材料。以电容为例，材料的介电常数是非常重要的因素，因为电容流量由表面积决定，因此永远希望能将其与介电常数最小化。ST的全新PZT技术在退耦和低频过滤所需的高性能电容整合度方面呈现了突破性进展。

透过在尺寸、效能、成本与实时上市方面实现全新的系统分割优化水平，新技术将为客户带来更多利益；一个内含单一裸晶的IPAD组件可取代30个分离式组件，且兼容于覆晶封装技术或能与其他IC以SiP方式整合。