代表英国及爱尔兰半导体产业之贸易协会－国家微电子学会（NMI），将与英国nanoCMOS项目单位共同举办欧洲第一届针对CMOS变异性主题之国际会议。此会议将于伦敦医师皇家学院于10月23日举行，其将结合代表整个半导体供应链的全球领导级公司及主要研究机构，共同分析变异性对半导体设计的深远影响，并促进双方合作。

此会议将由Dr. Asenov以"下世代CMOS技术的变异性及其对设计之冲击"进行开场演说，之后并将进行四场主要议程:

议程1:设计概念（IMEC、University of Manchester及STARC）；议程2:设计导入及工具（Mentor Graphics、Synopsys及Cadence）；议程3:半导体技术（IBM、Freescale及台积电）；议程4:IP研发（ARM），随后将进行主题为“Integration and Collaboration in the Era of Design for Variability（DfV）”之小组研讨。

除主要会议外，与会代表将可参加两场由Asenov博士所举办的辅助活动，以分享包含组件、电路及系统设计之多学科英国研究计划之研究重点。其中，"迎接nano-CMOS 电子之材料挑战" 议题将于10月22日进行探讨，其将总结材料塑造和电子组件仿真之研究。而于10月24日，英国eScience试验计划之"迎接nano-CMOS电子之设计挑战"则将提出针对致能TCAD和ECD组件仿真的多层次及栅格研发成果。相关信息或报名洽询，请参阅:www.nmi.org.uk/events/DFM_23102007.htm或email dfm@nmi.org.uk