台積電今(10)日宣佈推出業界首見的自動化快閃式唯讀記憶體(FlashROM)服務，用以支援其嵌入式快閃記憶體(EmbFlash()製程技術。藉由這項嶄新的FlashROM技術，台積公司可協助其EmbFlash客戶將晶片內的快閃記憶體自動轉換為罩幕式記憶體 ("mask-based" ROM; MROM)，以降低製造成本，並加速產品進入量產之時程。

台積電市場企劃副總經理鮑利邁(Mike Pawlik)表示，比起以往將快閃記憶體轉換為MROM的方式，台積電新推出的FlashROM服務不僅減省了耗費於設計上的心力與時間，同時亦加速產品進入量產之時程。此外，在產品生產過程中，隨著整體晶圓良率改善時，這項服務還可省卻進行光罩及測試時的部份步驟，可有效地縮短生產週期。台積電將持續發展及創新EmbFlash製程技術與服務，以期更能滿足系統單晶片(SoC)設計客戶的要求。

目前台積電0.5微米EmbFlash製程技術的客戶已經可以使用FlashROM服務。至於0.35 微米及0.25微米EmbFlash製程技術，則將陸續於今年中及年底提供FlashROM技術服務。

一般而言，當採用EmbFlash製程技術進行產品量產時，一旦產品設計趨於穩定之後，部份客戶在大量生產時會尋找較嵌入式快閃記憶體成本低的替代品。台積電所提供的FlashROM服務，賦予客戶相當大的彈性，設計者可直接將產品中以快閃記憶體為基礎的部分轉換為MROM版本，而不需修改邏輯設計上其他部份，因此可以大幅省卻晶片重新設計及製造所需之時程。

台積電提供EmbFlash製程技術予客戶，滿足設計者對程式碼或資料可修改之彈性需求。EmbFlash技術尤其適用於需要系統上直接修改程式碼、產品重複使用或出貨前程式碼臨時變更之產品設計。