國際整合元件大廠(IDM)跨足12吋晶圓領域遇到瓶頸，栓槽蝕刻及化學機械拋光(CMP)問題待解決；國內動態隨機存取記憶體(DRAM)廠技術移轉來源新製程良率不到五成，預料學習曲線將延長到2002年下半年。

業者表示，目前國內DRAM廠的海外技轉廠12吋晶圓運轉出現兩大瓶頸。首先是12吋設備的栓槽較大，晶圓及水流快速通過往往造成水漬，現階段表面張力去除效果不佳。

其次，許多IDM以0.2微米以上製程試產12吋晶圓良率都不錯，但到了0.18微米世代，就會出現CMP拋光效果不平均，晶圓中央8吋區域良率接近七、八成，但周邊部分良率卻下降，目前採用材料及電子轉換方式解決。

德國Infineon是最早投入12吋晶圓DRAM製造的IDM，陸續以0.25微米、0.2微米、0.17微米及0.14微米試產，近期傳出0.17及0.14微米良率低於五成。不過，茂德副總經理麥翰思23日表示目前尚無確切數字。

茂矽副總經理張東隆表示，按照國際大廠的經驗，相同製程在8吋及12吋晶圓的良率表現，大約相差30個百分點，預料這段落差，要到年底才能解決。