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業者製程轉換不順 DRAM價格下探風險高
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2003年10月27日 星期一

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經濟日報報導,全球DRAM廠第四季在製程轉換上之情況皆不盡理想,除英飛凌、Hynix等都傳出運轉不順情形,台灣DRAM廠華邦電、力晶及南科等業者,也因部分新製程良率偏低,次級產品流入現貨市場導致價格有下探風險,惟第四季OEM高階DRAM出貨增加有限,合約價可望持平。

華邦表示,該公司於第三季進入0.13微米,前段製程就出現問題,但一直到製造後期才發現,導致投入1萬片晶圓,良率偏低,最後都以次級品賣出,影響最終獲利。力晶12吋晶圓廠轉入0.13微米製程,也出現相同狀況,日前曾被日本爾必達(Elpida)退貨20萬顆DDR,近期又傳出部分良率不佳的次級產品進入市場。至於南科,第三季也出現被OEM合約客戶退回重測,增加測試成本的情形。

力晶表示,DRAM廠轉進高階製程領域,都會碰上製程或是良率瓶頸,不過力晶認為,小量次級品對營運成長影響有限。事實上,華邦電、力晶部分次級品及低良率晶圓,近期成為模組市場的搶手貨,分別有三家知名模組商,包銷了兩大DRAM廠的次級晶圓,並將其銷往現貨市場,導致9月以來,現貨價大跌15%。

次級DRAM最大的吸引力就是,價格十分低廉,有些試產出來的晶圓,由於良率不佳,切割、封測的經濟效益不足,以整片為單位出脫,模組廠商接手後,自行後段加工,銷往現貨市場的利益可觀。

關鍵字: 動態隨機存取記憶體 
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