IDT宣佈其先進記憶體緩衝器晶片(advanced memory buffer;AMB)已通過英特爾(Intel)的驗證程序，成為業界第一家能夠量產供貨AMB的廠商，應用於全緩衝雙線記憶體模組(Fully Buffered Dual In-line DIMM；FB-DIMM)解決方案，AMB晶片能有效增加伺服器和工作站的速度和記憶容量，強化資料處理能力。整合於FB-DIMM，IDT的AMB晶片負責系統中每一個DIMM的資料緩衝、蒐集和傳輸，為下一代高速伺服器及工作站的主要建構區塊。

英特爾(Intel)伺服器平台事業群行銷處總經理Boud Davis表示，目前伺服器正積極導入全緩衝雙線記憶體模組(即FB-DIMM)這種技術架構能讓伺服器及工作站的效能更穩定，並增加記憶體擴充的彈性，為能順利完成FB-DIMM架構的轉變，必須要有具機動性及多元化的元件供應商來提供這些基礎的建構元件才能完成。