全球功率半導體及管理方案廠商–國際整流器公司（IR）在其DirectFET MOSFET系列中加入3項新的20V N通道元件。它們皆經過優化，適用於VRM 10功率系統及新一代Intel和AMD處理器中的高頻、高電流DC-DC轉換器，應用範圍包括高階桌上型電腦及伺服器，以至先進電信和數據通訊系統。

IR表示，IRF6623具備更強的控制MOSFET性能，元件通態電阻（RDS(on)） 和閘極電荷（Qg）的乘積減少30%，體積只是市場上其他高性能20V控制MOSFET一半。此外，在4.5V下RDS（on）和Qg的乘積僅為48.4mOhm-nC，Miller電荷（Qgd）為4.0nC，可減少開關損耗。IRF6620最適合35A或以下的同步MOSFET應用，Qg, Qgd 和逆向恢復電荷（QRR）值極低，RDS（on）更較市場上其他高性能20V同步MOSFET改善了30%，在10V下的典型RDS（on）為2.1mOhm（最大為2.7mOhm）。IRF6609專為高電流（33A或以上）的同步MOSFET應用而設計，能夠締造最佳性能。元件的Qg 和Qgd 極低，並具備超低QRR，在10V下的典型RDS（on）為1.6mOhm（最大為2.0mOhm）。