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12吋晶圓廠陸續量產 2003年投資金額達600億美元
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2003年01月28日 星期二

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據資策會市場情報中心(MIC)估計,隨著英特爾(Intel)、德儀(TI)、台積電、聯電、力晶等12吋晶圓廠陸續進入量產,全球12吋晶圓廠投資在2003年將超過600億美元;而2002年至2007年間,12吋廠投資將達1200~1500億美元。

據Digitimes報導,資策會MIC半導體組組長尤克熙日前表示,日本Trecenti、台積電與聯電位於台南的12吋晶圓廠,陸續在2000年底至2001年初進入量產時代;此外Samsung、 Infineon分別位於南韓與德國的12吋DRAM廠也於2001年底開始量產;2002年3月SONY熊本工廠生產高溫多晶矽LCD與CCD Sensor的12吋晶圓廠也進入量產,再加上德儀、英特爾、IBM、茂德、力晶等亦都陸續進入12吋時代。

尤克熙表示,建立一座12吋晶圓廠的成本約為25至35億美元,預估全球於2003年底之前,半導體業者在12吋晶圓廠的總投資額,將高達600億美元以上,而至2007年為止,全球將有超過40座12吋晶圓廠;以一座12吋晶圓廠的平均造價30億美元計算,2002至2007年全球投資於12吋廠的金額,將高達1200~1500億美元,每年平均將支出180億美元。

根據MIC統計,未來12吋晶圓廠的興建用途,將有60%是集中在專業晶圓代工與DRAM事業,而且這些工廠大都集中在亞太地區,包括台積電、聯電、特許、茂德、南亞、力晶等,但全球只有少數晶圓廠商可達到60億美元以上的年營業額,若每一家晶圓廠擁有不只一座的12吋晶圓廠,再計算其它可能投入之資金,包括先進製程技術及其它營運所需要費用等,將擁有難以想像的營運壓力。

尤克熙指出,包括銅製程(Cu)、矽鍺製程(SiGe)、低介電系數製程(Low-K)、絕緣層上覆矽(SOI)或應變晶片(Strained Silicon)等製程技術,在未來半導體12吋廠將扮演愈來愈重要的角色,90與65奈米技術發展更是下一世代12吋廠商的希望所寄,唯有透過先進製程技術開發,廠商才能在既有需求中,獲取最多的訂單。以需求面來說,現階段256MB以上的DRAM、超高速乙太網路晶片、NPU、32位元以上的CPU、系統單晶片組,以及Embedded IC等產品,將成為12吋晶圓廠的主要需求對象。

關鍵字: 英特爾(Intel, intel, INTEL其他電子邏輯元件 
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