諾發系統（Novellus）日前宣布開發出一種創新的DirectFill化學氣相沉積氮化鎢（WN）線性阻隔膜，取代傳統的物理氣相沉積（PVD）金屬鈦及有機化學氣相沉積法（MOCVD）氮化鈦堆積成線性阻隔薄膜用於先進記憶體元件的鎢接觸傳導和銅線互連傳導應用。氮化鎢（WN）薄膜沉積使用諾發系統的ALTUS多平台序列沉積（MSSD）架構及脈衝成核（PNL）專利技術。該 DirectFill製程沉積超薄，20埃氮化鎢（WN）比傳統的物理氣相沉積厚200埃氮化鈦和鈦堆疊，擁有更薄更好的膜電阻率和阻隔性能。這種超薄膜降低了鎢電阻高達百分之三十，並擴展鎢技術超越3Xnm的技術節點。

圖為使用諾發系統的ALTUS多平台序列專利技術縮小尺寸到3Xnm技術節點以下的局部顯示 BigPic:500x240

隨著更快、更節能的記憶元件功能和元件體積收縮方面的需求日益增加，進而導致要求將銅連接線製程整合到快閃記憶體（FLASH）和動態記憶體（DRAM）裝置。但是對於第一金屬層還是沿用傳統的鋁製程之整合鎢接觸的連結通道使從第一層到銅及鋁層。但若進而縮小尺寸到3Xnm技術節點以下，此一氣相沉積鎢的接觸通道整合技術就會受到傳統鈦/氮化鈦線興隔絕層堆積產生的瓶頸效應的挑戰。物理氣相沉積鈦在通道口的突起沉積減少了通過開放口的面積，可導致不完整的化學氣相沉積鎢填充，造成通道中間有不完整充填的空隙。金屬有機化學氣相沉積氮化鈦TiN薄膜必須沉澱到的最小厚度，以防止矽烷氣體（鎢塞填充過程中使用的氣體）擴散並在通道接口形成高電阻率銅矽化物。