MIPS公司近日宣佈，該公司的40奈米USB 2.0高速實體層（PHY）IP已獲得USB設計論壇（USB-IF）認證，並符合台積電（TSMC）的TSMC9000 40奈米LP製程標準。各類新一代的消費性電子產品都朝外型精巧、節能省電趨勢發展，因此整合式USB解決方案也必須滿足這樣的需求。

MIPS的USB 2.0高速實體層IP面積小於0.6mm2，功耗低於80mW。此外，其擁有先進可程式功能，因此開發人員可微調系統的類比參數，以達到晶片的最佳效能。採用符合完整USB 2.0規範的合格實體層IP，可以確保消費性電子產品與其他USB 2.0裝置的互通性。

MIPS Technologies公司類比事業群實體連結方案總監Celio Albuquerque表示，SoC開發人員正朝先進製程移轉，以降低開發大量行動與消費性產品的成本， 因此需要高品質、可靠、具互通性的USB方案。在日前推出首創的40奈米USB PHY IP、及率先獲得認證的45奈米1.8v USB PHY IP後，MIPS很榮幸進一步宣佈此技術新里程碑。身為台積電的合作夥伴，MIPS將儘快提供通過驗證的IP方案，協助客戶能以最低成本、最快上市時程來整合設計，以便迅速將產品投入市場。