IBM与数家LSI制造商日前已就共同开发32nm制程技术及生产技术达成了协议。这些厂商未来将合作开发用于逻辑LSI芯片之Bulk CMOS制程。IBM与这五家公司的合作将持续至2010年，而32nm制程LSI芯片也将从2009年第四季开始生产。据了解，合作研发的地点将位于纽约州East Fishkill的IBM生产基地。

与IBM达成协议的厂商分别为两家通用平台（Common Platform）技术合作伙伴新加坡特许半导体（Chartered Semiconductor Manufacturing）、以及南韩三星电子（Samsung Electronics），另外两家厂商为合作开发联盟伙伴德国英飞凌（Infineon Technologies AG）、美国飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor）。达成协议后，IBM、特许半导体制造和三星电子将能够以几乎相同的质量制造32nm制程LSI芯片。

为了维持芯片高性能并同时兼顾低成本，这五家厂商将导入high-k金属栅技术、应变硅技术、AirGap等low-k技术以及第2代液浸曝光技术等最尖端技术。合作开发32nm制程技术的封装。并开发用于降低此类最新技术应用难度的制程设计工具（PDK），以便利客户使用。此外数字通讯产品的仿真模型、RF CMOS、混载DRAM的平台也都包括在这些范围之内。