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AMD 发表电晶体及记忆体储存格架构的突破性研究成果
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2002年12月13日 星期五

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美商超微半导体(AMD) 将会在今年12月8日至11日在美国旧金山举行的国际电子技术会议(IEDM) 上公布多项对开发新一代电晶体及记忆体储存格有关键作用的新技术。新技术的公布再次证明AMD 在半导体研究及开发方面的领导地位。相关的研究成果最快可望于2005 年应用到新产品之中。

AMD 制程技术开发副总裁Craig Sander 表示:AMD 的实验室正在全力开发新一代的电晶体及记忆体技术。新技术的完善及推出将确保我们客户的产品可以发挥前所未有的效能及联系能力,也确保他们的产品比以前更容易使用。 

美商超微半导体表示,新一代的电晶体AMD 将会在国际电子技术会议上发表三篇技术论文,简要介绍AMD多年来研发新一代电晶体架构的最新成果。电晶体是微晶片的主要功能部分,基本上属于微型开关,利用「闸门」这种微型开关控制电流的开关。 AMD 将会公布这项崭新电晶体研究的最新成果。这项研究是AMD 与美国加州大学柏克莱分校的一个合作研究项目。新的电晶体可能会取代目前的平面电晶体,成为业界标准的高效能逻辑晶片。这种崭新的电晶体在微晶片业界称为「鳍式场效电晶体」(FinFET),其架构特色是采用一片鱼鳍型的垂直矽片,将电晶体闸门由一个增至两个,以便流入电晶体的电流可以提高一倍。这个设计可改善电晶体的开关效能,因此是一个高效率而又实用的设计,不但有助提高效能及缩小电晶体体积,而且更确保可以沿用目前的方法进行量产。

關鍵字: AMD  Craig Sander  微处理器 
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