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英特尔推出90奈米无线闪存
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2004年02月23日 星期一

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工商时报报导,英特尔于美国旧金山举行的英特尔开发者论坛(IDF)中,发表全球第一套采用90奈米制程、NOR规格的英特尔无线闪存(Intel Wireless Flash Memory),该产品是英特尔利用第9世代的技术生产,芯片尺寸大小比前一世代缩小约50%,有助于降低成本并让英特尔的产能增加2倍。将以此打入高效能手机应用芯片市场。

英特尔快闪产品事业群副总裁Tom Lacey亦表示,英特尔无线闪存是目前无线应用芯片市场中效能最高的解决方案,新产品结合了四项创新技术,包括1.8伏特的低运作电压、在组件中直接执行程序、强化生产在线刻录速度(enhanced factory programming)、及在单一芯片中储存程序与数据(dual code and data storage in one chip)的能力。

英特尔亦指出,新款闪存芯片规格与过去的解决方案通用,客户可以轻易进行整合与升级,并让组件能在更小的空间中装入更多的内存,如可在8mm×11mm芯片封装规格中放入高达1 Gb的高密度闪存。英特尔将在4月推出64 Mb容量样品,第3季开始量产出货,初期每万颗的单颗采购价格为10.26美元。

關鍵字: Flash  英特尔  其他記憶元件 
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