芯片分析机构Semiconductor Insight指出，奇梦达和美光科技已经抢在三星电子之前发表了下一代DDR3 DRAM芯片的样品，成为DDR3 DRAM市场和技术的领先厂商。

DDR3芯片的速率是前代DDR2的二倍，但消耗的能量没有明显增长。美光科技和奇梦达DDR3芯片的样品，抢在DRAM传统技术领先厂商三星电子之前。DDR3芯片支持1,600Mbps的数据率，速度是DDR2 DRAM的两倍；其工作电压为1.5V，而DDR2为1.8V。降低电压后，在移动系统中能够降低能量的消耗，导致更小的热量散发，进一步延长了电池寿命。DDR3 DRAM芯片的高速运行是芯片封装、整合电路和信号传输的重大进步。据悉，英特尔芯片组将于2007年中期支持DDR3，此举必将为该市场注入活力。

虽然2006年DDR2内存超过了DDR DRAM，但根据iSuppli的预测显示，DDR3的出货量可在2010年时超越DDR2。整个DRAM市场乃至全球半导体市场可能在2009年开始下滑，然而，DDR3 DRAM的出货量和收益却可望出现强势成长。美光科技储存部门资深营销主管Bill Lauer表示，计划今年中期将制造容量为1GB的DDR3芯片产品，并发布容量为2GB的DDR3芯片样品。

目前，NAND闪存仍然位居要角，而内存供货商也为确保其产能而开足了马力。NAND的单位出货量在2006年已超过DRAM。然而，由于移动电话和Windows Vista作系统的PC以及消费产品的带动， DRAM也步入稳定成长。