由于目前半导体制程已经进入铜导线时代，因此属于后段作业的打线封装也有必要有新的技术因应，工研院电子所日前表示，该所已在铜导线芯片构装上有了新的突破性技术进展，此技术是在铜金属垫上利用无电解制程或金属溅镀制程上做出Cap Layer，即可让铜金属氧化情形杜绝，此项技术也已通过JEDEC的验证测试。

据了解，该项技术可以让我国数量在六千台左右的打线机，能够在此铜制程芯片上继续使用，我国封装产业大都是在铝制程芯片打金线，但是在进入铜导线时代，铜金属特性容易氧化，传统打线设备并不适用于铜金属垫上打金线，因此，电子所研究出以Cap Layer来隔绝铜金属使其不会产生氧化作用，此举不仅可让封装厂商可继续使用原有的打线设备，并可减少许多成本的开销。