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Imec发表高量子效率CCD-in-CMOS成像仪 加入近UV感测功能
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2018年11月06日 星期二

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奈米电子和数位技术研究与创新机构imec,在Vision 2018展览会上,推出了一款基於电荷耦合器件(CCD)-in-CMOS技术的高速紫外线感应与时间延迟积分(TDI)成像仪。TDI成像仪在近紫外(UV)区域具有70%以上的量子效率,使其可应用於工业机器视觉,尤其是作为半导体制造过程中的检测工具。

新型成像仪采用imec的TDI CCD-in-CMOS技术制造,该技术将CCD TDI像素和CMOS读数结合在一个技术里。
新型成像仪采用imec的TDI CCD-in-CMOS技术制造,该技术将CCD TDI像素和CMOS读数结合在一个技术里。

新型成像仪采用imec的TDI CCD-in-CMOS技术制造,该技术将CCD TDI像素和CMOS读数结合在一个技术里。此种整合可以在单线扫描成像仪上实现低杂讯,高灵敏度的TDI性能,以及低功耗,在晶片上整合快速复杂的电路读出。

透过采用imec的背面照明技术与专用抗反射涂层结合,取得紫外线的灵敏度。 通过背面照明,光从背面直接进入成像器,大幅提高了图像传感器的量子效率。靠着增加一个针对UV抗反射的涂层,在250-400nm的近UV区域中达到超过70%的高峰值量子效率。

而对小於可见光波长的高敏感度,使得成像仪能够检测非常小的特徵,这让此技术特别适用於半导体检测应用,例如光罩,晶圆和颗粒检测。

TDI感测器是在200mm晶圆上制造,采imec CCD制程模组内置於130nm CMOS的制程流程中。这种高经济效益的制造流程与其他晶圆级後处理技术兼容,例如光谱滤波器整合,可强化TDI性能。而其成果就是影像感测器具有高灵敏度和高速度(高达300kHz的线更新),且拥有低电耗。

imec影像感测器专案经理Maarten Rosmeulen表示,凭藉这款高速,低功耗的TDI成像仪,我们很高兴能够扩展具有UV感应功能的TDI CCD-in-CMOS影像感测器系列。我们现在可以提供在紫外和可见光范围内具有高量子效率的TDI CCD-in-CMOS影像感测器,并实现丰富的高阶应用,包括远端感测,医学成像和工业机器视觉。

關鍵字: 成像仪  imec 
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