外电消息报导，英特尔与内存商恒忆（Numonyx），于周三（10/28）共同宣布一项极具突破性的新相变内存（PCM）技术。透过这项新技术，将可使非挥发性内存具备多种内存的特性，并让开发者在单一芯片上，自由堆栈和组合多层（multiple layers）的PCM内存数组，并可生产出密度更高、更省电、体积更小的内存解决方案。

这项技术是英特尔与恒忆在「多层与堆栈PCM内存Cell数组研究」的一项成果，目前该研究小组已可展示垂直整合的内存Cell。该技术称为相变内存与开关（phase change memory and switch；PCMS），是在真实交叉点数组上，以一种新的双向端点开关（Ovonic Threshold Switch），整合多层的PCM内存组件。透过该技术，将可在架构PCMS的堆栈与数组层时，具备更高的密度，并改善PCM的效能。

英特尔内存技术研究经理Al Fazio表示，研究团队将持续发展改善运算效能的记忆技术，PCMS技术将扮演着拓展内存效能的关键，特别是在内存的架构性与效能上，将带来更佳的性能。

恒忆资深研究员Greg Atwood表示，这项技术证明了PCM内存将具备更高的密度潜能、数组架构，以及与NAND相似的使用模块。特别是传统闪存正面临了物理极限和可靠性问题，而这项重要的技术突破将为此带来署光，尤其是移动电话与数据中心对内存的需求不断升高。

关于这项技术的具体内容，英特尔将在今年12月于巴尔迪摩举行的国际电子设备大会上，发表正式的论文，详细的介绍这种内存架构。