據Digitimes報導,台積電近期已將第二代氟化玻璃(FSG)製程良率提高到商業量產程度,由於台積電FSGⅡ在低電介質係數(Low-K)已降到2.5~2.7,而競爭對手IBM仍面臨調整FSG製程良率問題,台積電內部表示,FSGⅡ製程已接獲數家北美通訊與邏輯IC訂單,預計第三季末以0.13微米製程量產。
IBM在Low-K低電介質製程技術原以Silk材質為主,但在0.13微米製程以下面臨熱膨脹係數(CTE)遠高於化學氣相沉積(CVD)的碳氧化合物,並容易導致絕緣材料在晶片銅導線上分離,IBM在2003年第一季逐步淡出Silk材質,並將低電介質材料轉向FSG。根據台灣IC設計業者表示,目前IBM FSG材質良率仍偏低,並以0.15與0.13微米並行調整良率,其低電介質係數仍在3以上。
台積電在低電介質材料上,則直接鎖定FSG材質,目前該公司0.13微米以下製程Low-K需求客戶採用FSG材質比重超過90%,同時台積電也在Fab 6的0.13微米製程生產線,調整低電介質係數介於2.5~2.7的FSGⅡ材質,包括Agere、Altera等部份客戶已導入FSGⅡ材質試產,並陸續獲得客戶認證通過。
台積電內部表示,IBM微電子事業部對北美無晶圓廠的IC設計公司動作積極,但主要仍集中在0.13微米鋁導線製程,在爭取低電介質需求的客戶方面,IBM仍面臨調整良率問題,台積電反而具備提早進入FSG市場,以較高良率與客戶認證數量居上風。