因應通訊元件、設備和系統製造商的需求，筑波科技推出一種用於化合物半導體的非破壞性晶圓品質測量方案TZ6000。此方案結合TeraView的TeraPulse Lx技術，針對厚度、折射率、電阻率、介電常數、選定位置的表面/次表面缺陷和整個晶圓掃描達成非破壞性晶圓品質測量。

筑波TZ6000 System 結合TeraPulse Lx （左）; 筑波科技董事長許深福（中）與TeraView首席科學家Dr. Philip Taday合影。

筑波科技研發副總陳治誠博士表示，半導體晶圓的品質決定終端設備可達成的最大轉換效率。晶圓表面加工過程包括粗磨、精磨和化學機械拋光，很容易引起次表面損傷（SSD）。目前仰賴VIS/IR/UV光學檢測的晶圓檢測系統雖可分析晶圓的表面特性，但因為穿透深度較低，不能分析SSD。太赫茲（THz）針對半導體晶圓能比矽、碳化矽和氮化鎵有更高的穿透深度。筑波以THz技術開發TZ6000，滿足化合物半導體晶圓非破壞性檢測的市場需求。

TeraView應用主席兼首席科學家Philip F. Taday博士強調，TeraPulse Lx系統是TeraView的太赫茲分析系列，能滿足成像或光譜應用中材料檢測的需求，為化合物半導體產業的理想選擇。該系統的模組化架構和TeraView專利研發的激光門控光電導發射器、檢測器，為使用者提供靈活性和可擴展性，標準配置系統更具備先進的3,200 ps時間延時線。

筑波科技董事長許深福（Steve Hsu）分享，筑波與TeraView合作將自家優勢發揮在TeraPulse Lx模塊整合到TZ6000系統，以進行非破壞性晶圓品質檢測。TZ6000的高靈活性可適用各種尺寸和形狀的晶圓，配有筑波獨特的多元晶圓探頭及智慧化軟體演算分析功能，用於同時測量晶圓表徵的多個參數。TZ6000具有使用者易懂的圖形說明軟體，用於晶圓製造和研發過程的品質檢測。

TeraView首席執行官Don Arnone博士總結，此方案是TeraView與筑波科技密切合作開發的另一里程碑，雙方秉持高度信心將該產品用於化合物半導體晶圓品質分析和缺陷檢測，進而滿足化合物半導體晶圓產業大幅成長的需求。