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台積電獲科勝訊授權0.35微米SiGe製程專利
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2001年05月19日 星期六

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台積電已向美國科勝訊(Conexant)移轉0.35微米矽鍺(SiGe)製程專利,在CMOS製程進行元件開發,預估今年年底投片試產。一般0.1一微米的邏輯製程技術,目前已開發出單元元件,預估明年第三季可開發完成。由於台積電研發的0.1微米製程平台,正全力推動與國際整合元件大廠(IDM)結盟,據了解,願意合作者眾多,將與聯電、IBM、Infineon的製程平台對抗。兩大聯盟將使晶圓代工在高階製程競賽更趨白熱化,並建立更高的競爭障礙。

台積電十七日於桃園揚昇球場舉行2001年技術論壇,台積電總經理曾繁城表示,台積電已在0.13微米製程技術取得相當的突破,客戶數量遠較預期得多。目前已有二家微處理器客戶已正式量產,七家客戶的產品已獲得功能性驗證,投片試產的已有一百二十種產品,其中四十個產品在驗證成功後即可量產產出。因此,今年台積電在高階的0.13微米製程產出將可大幅躍進。

關鍵字: 矽鍺  台積電(TSMC科勝訊 
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