帳號:
密碼:
最新動態
 
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
市調機構指快閃記憶體可能在2005年出現生產過剩
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2004年04月08日 星期四

瀏覽人次:【2904】

根據市調機構RBC Capital Markets所公佈的一份調查報告顯示,目前市場上當紅的快閃記憶體將在2004年下半年達到供需平衡,部份產品可能在2005年出現供應過剩。其生產過剩的主因為許多半導體大廠包括英飛凌(Infineon)、Hynix與意法(STMicroelectronics)皆開始投入此一市場。

EE Times報導指出,OEM廠數月以來一直面臨NAND和NOR快閃記憶體供應短缺的局面,分析師指出,NAND快閃記憶體特別吃緊,據說有些供應商的產品已經賣到了今年第三季。此外FRAM的貨期也延長到了6~12週。而一批新的快閃記憶體供應商進入市場,預計這將改變市場形勢。

目前英飛凌正開發NAND快閃記憶體產品,而Hynix和意法也開始聯合設計NAND晶片;RBC Capital Markets分析師Satya Chillara分析師表示,當英飛凌、意法與Hynix等廠商開始提高產量之後,供應吃緊的局面將在2004年下半年有所緩解,但整體需求仍將超過供給;該機構預期,到2005年供給將超過需求3%

RBC表示,2003年整體快閃記憶體出貨量較2002年大增了251%,其中NAND占73%,NOR占27%,預計2004年NAND占整體出貨量的比重將升至76%。

關鍵字: 記憶元件 
相關新聞
工研院建首座AI測試實驗室 提供語言模型可信任評測服務
蘋芯全新邊緣人工智慧SoC使用Ceva感測器中樞DSP
數智創新大賽助力產學接軌 鼎新培育未來AI智客
貿澤電子即日起供貨Siemens LOGO! 8.4雲端邏輯模組
SCIVAX與Shin-Etsu Chemical聯合開發全球最小的3D感測光源裝置
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8B320LWV4STACUKA
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw