首家進駐中科后里園區的力晶半導體與中部科學工業園區開發籌備處共同舉行聯合動土典禮。力晶將斥資300億元，興建四座十二吋晶圓廠（Fab 12C/ D/E/F）並創造逾五千個工作機會，結合新竹科學園區既有三座十二吋晶圓廠的龐大產能，更凸顯力晶躋身世界級記憶體大廠的企圖心。

聯合動土典禮由中部科學工業園區開發籌備處與力晶共同舉行，應邀貴賓包括政務委員何美玥、台中縣長黃仲生、經濟部工業局局長陳昭義、新竹科學園區管理局局長李界木等官員，以及日本爾必達公司(Elpida)社長坂本幸雄、瑞薩科技（Renesas Technology）榮譽會長長澤紘一等國際高科技大廠高階主管。

力晶董事長黃崇仁表示，為了強化技術及成本優勢，力晶積極進行十二吋晶圓廠產能擴充，除了既有的12A廠與12B廠每月投片量已達七萬片以上；向旺宏電子購買的12M廠也將於今年下半年裝機投產。預計今年底，力晶十二吋投產月產能將超過十萬片以上。於后里新建之12C廠與12D廠滿載月產能分別可達七萬片十二吋晶圓。將來，力晶在中科的四座十二吋晶圓廠可提供五千至六千個就業機會。

力晶總經理謝再居亦指出，在DRAM製程技術上，移轉自日本爾必達的90奈米DDR II產品已順利量產，除了單片晶圓裸晶數目世界第一，製程良率與品質亦領先競爭者。此外，配合自身產能之擴充以及新技術的引進，預計力晶的DRAM市場佔有率將於今年大幅成長，同時也將切入高容量快閃記憶體的市場。