ST與Hynix半導體兩家半導體製造商繼2004年11月16日簽署了策略聯盟合約後，日前為中國江蘇省無鍚設立的首座前端記憶體製造廠舉行了奠基儀式，包括無鍚市政府、地方官員，以及中國與韓國的國家官員均參與這項典禮。

這座新的晶圓廠將製造DRAM與NAND型快閃記憶體，除拓展ST與Hynix的合作關係外，也為兩家公司進入快速成長的中國市場拉開序幕。這座晶圓廠將使ST對關鍵客戶提供更良好的服務，特別在電信與消費性市場，ST將可在單一封裝中，以領先的技術與極具競爭力的價格提供完整的記憶體、多媒體處理器與系統解決方案。特別的是，這座晶圓廠將使ST得以切入高性能、低成本DRAM晶片市場，進一步提升其MCP（多晶片封裝）堆疊式記憶體與SiP（系統級封裝）解決方案的產能。這項策略聯盟預計也將成為Hynix提升其長期競爭力的穩固基礎，從而讓該公司以最小的投資獲得12吋晶圓廠產能、運用低成本製造環境，並維持其在快速成長之中國市場的領先地位。這座新的半導體廠同時將為Hynix提供全球性製造能力，解決其產品在美國與歐洲面臨的貿易問題。

ST董事長暨CEO Carlo Bozotti表示：「中國半導體市場目前約佔全球的15%，到2008年以前，預計將以每年20%的幅度成長。透過這項策略聯盟，ST將進一步強化在全球半導體市場上的整合能力。ST與Hynix已經在製程及產品開發上運用雙方技術地成功地實現了合作，這個位在無鍚的新廠將使目前已經是中國第二大半導體供應商的ST進一步增強在全球的競爭力。」