帳號:
密碼:
最新動態
 
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
大陸半導體技術仍落後南韓5~6年
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2003年06月16日 星期一

瀏覽人次:【3508】

根據南韓新聞網站Digitimes報導,南韓產業研究院日前發布韓國與大陸半導體產業比較分析報告指出,目前大陸半導體技術水準雖達0.18微米製程,但仍落後南韓0.10微米的製程5~6年。

該報導引述南韓產業研究院研究員意見指出,大陸半導體產業發展仍有許多問題,包括具備經營晶圓廠經驗的人才不足,加上良率穩定性不足、售後服務與品質良劣等問題,而這些問題預計在短期內應難以獲得解決。目前大陸半導體技術以0.25微米製程技術為主,部分為0.18微米製程,而南韓主力記憶體產品則為0.13微米製程,基本上,二國半導體產業要直接交鋒競爭,尚有一段時日。

南韓產業研究院的報告指出,若以2002年為基準,大陸晶片設計能力與南韓相較約落後5年左右;大陸的晶片設計技術能力在0.35微米製程左右,與設計0.13微米製程以下產品的南韓業者相較差距尚遠。

而對於南韓該如何維持與大陸技術差距的問題,該機構則表示,南韓應透過開發90奈米以下產品,來加強次世代記憶體晶片與系統IC事業的發展;同時並應強化次世代12吋晶圓的量產能力以及提高成本競爭力。

相關新聞
攸泰科技結合衛星通訊 搶佔全球海事數位化轉型大餅
IAR與鴻軒科技合作提升車用晶片安全功能
英飛凌SECORA Pay Bio 強化非接觸式生物識別支付可信賴度
科研新創力轉化硬實力 協助開創農漁科技新局
中華精測關鍵測試載板 為下半年旺季新成長動能
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» 未來無所不在的AI架構導向邊緣和雲端 逐步走向統一與可擴展
» 延續後段製程微縮 先進導線採用石墨烯與金屬的異質結構
» 提升供應鏈彈性管理 應對突發事件的挑戰和衝擊
» 專利辯論
» 碳化矽基板及磊晶成長領域 環球晶布局掌握關鍵技術


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.15.4.52
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw