帳號:
密碼:
最新動態
 
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 新聞 /
IBM高階製程穩定度偏低 客戶轉向台廠投片
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2003年11月05日 星期三

瀏覽人次:【1750】

據Digitimes報導,因IBM微電子在0.13微米以下製程之低電介質(Low K)材料Silk良率穩定度偏低,其晶圓代工客戶包括智霖(Xilinx)、NVIDIA等全球前10大設計公司為避免風險,於第四季再度提高對台晶圓代工廠投片比重,其中Xilinx在聯電12吋晶圓廠0.13微米銅導線製程良率超過95%,NVIDIA近期也開始將GeForce FX5700(NV36)在台積電進行製程研發,且不排除提前導入量產。

該報導引述IC設計公司與台積電、聯電製程研發部門說法指出,IBM在製程藍圖上,0.13微米與90奈米的Low K絕緣材料仍以Dow Chemical旋塗有機Silk薄膜為主,預計65奈米以下才會開始採用化學氣相沉積(CVD)材料,現階段IC設計公司雖數度建議IBM晶圓廠在0.13微米製程開始採用CVD材質,不過IBM晶圓廠短期仍未有改變絕緣材質規劃。而為避免風險,IBM部份客戶已轉向台灣代工廠投片。

目前Xilinx在聯電投片主力製程已經陸續從0.18微米提升到0.15微米、0.13微米,現階段0.13微米製程FPGA產品線全數在聯電投片,90奈米亦超過98%在聯電下單,據悉Xilinx仍將維持在IBM晶圓廠試產動作,不過在聯電產能無法充分支應前,Xilinx並不考慮在IBM晶圓廠大量投片。

至於首款在IBM晶圓廠投片的NVIDIA NV36繪圖晶片在11月量產,不過,近期台積電製程研發小組亦展開該產品線開發,晶圓廠內部指出,原先NVIDIA即規劃先以IBM晶圓廠設計開發,但在台積電在0.13微米以下量產良率高於對手考量下,並規劃以12吋廠量產該晶片組,NVIDIA並不排除提前在台積電展開量產NV36進度。

關鍵字: IBM微電子 
相關新聞
IBM微電子12吋廠良率已獲提升
三星與IBM微電子策略聯盟 創造雙贏
IBM微電子營運狀況改善 預期2004可消弭赤字
comments powered by Disqus
相關討論
  相關文章
» 未來無所不在的AI架構導向邊緣和雲端 逐步走向統一與可擴展
» 延續後段製程微縮 先進導線採用石墨烯與金屬的異質結構
» 提升供應鏈彈性管理 應對突發事件的挑戰和衝擊
» 專利辯論
» 碳化矽基板及磊晶成長領域 環球晶布局掌握關鍵技術


刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8B2CPDI5WSTACUK4
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw