據Digitimes報導,因IBM微電子在0.13微米以下製程之低電介質(Low K)材料Silk良率穩定度偏低,其晶圓代工客戶包括智霖(Xilinx)、NVIDIA等全球前10大設計公司為避免風險,於第四季再度提高對台晶圓代工廠投片比重,其中Xilinx在聯電12吋晶圓廠0.13微米銅導線製程良率超過95%,NVIDIA近期也開始將GeForce FX5700(NV36)在台積電進行製程研發,且不排除提前導入量產。
該報導引述IC設計公司與台積電、聯電製程研發部門說法指出,IBM在製程藍圖上,0.13微米與90奈米的Low K絕緣材料仍以Dow Chemical旋塗有機Silk薄膜為主,預計65奈米以下才會開始採用化學氣相沉積(CVD)材料,現階段IC設計公司雖數度建議IBM晶圓廠在0.13微米製程開始採用CVD材質,不過IBM晶圓廠短期仍未有改變絕緣材質規劃。而為避免風險,IBM部份客戶已轉向台灣代工廠投片。
目前Xilinx在聯電投片主力製程已經陸續從0.18微米提升到0.15微米、0.13微米,現階段0.13微米製程FPGA產品線全數在聯電投片,90奈米亦超過98%在聯電下單,據悉Xilinx仍將維持在IBM晶圓廠試產動作,不過在聯電產能無法充分支應前,Xilinx並不考慮在IBM晶圓廠大量投片。
至於首款在IBM晶圓廠投片的NVIDIA NV36繪圖晶片在11月量產,不過,近期台積電製程研發小組亦展開該產品線開發,晶圓廠內部指出,原先NVIDIA即規劃先以IBM晶圓廠設計開發,但在台積電在0.13微米以下量產良率高於對手考量下,並規劃以12吋廠量產該晶片組,NVIDIA並不排除提前在台積電展開量產NV36進度。