IR推出全新HEXFET功率MOSFET晶體管系列

鎖定低功率電訊與數據通訊市場

全球供電產品領導事業廠商國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR），宣佈推出產品代號為IRF5802與IRF7465的新型150V與200V MOSFET，不僅進一步擴展SOIC封裝的HEXFET功率MOSFET晶體管系列，更能滿足電信及數據通訊骨幹系統中DC-DC轉換器最低功率的需求。新產品不僅是低功率最佳化的選擇，能為相關應用系統帶來更高成本效益，並且較其他體積更大、成本更高的同類型元件具備更高效能。

這些新型MOSFET可提供低於2A的電流，符合低功率應用系統的需求，設有150V和200V兩種電壓，可滿足現有隔離式轉換器線路佈局技術的需要。而這個產品系列更是業界第一個採用TSOP-6封裝的150V MOSFET元件。

IR台灣分公司總經理朱文義表示：「隨著網路及電信基礎建設產品需求的急速成長，業界需要更多不同的DC-DC轉換器模組，以滿足不同系統的功率要求。我們開發出最新的SOIC HEXFET功率MOSFET，正是為分佈式功率架構（distributed power architecture, DPA）電路中的骨幹功率模組系統（back-plane power module systems）所特別設計。」

朱總經理接著指出：「骨幹功率模組可用來提供低功率偏壓（low-power biasing），一般多設計於骨幹系統中，以節省主機板空間。偏壓電路（biasing circuit power）的供電部分通常採用功率低於20W的48V輸入轉換器。從設計角度來看，最大挑戰莫過於尋求兼具性能與成本效益的元件，滿足低功率應用系統的需求。」

IR的新型MOSFET有助平衡低元件導通電阻，一方面透過低柵電荷減低導通損耗，一方面利用低Miller電荷減低開關損耗，在高開關頻率下保持正常操作。TSOP-6 IRF5802 MOSFET可提供超低柵電荷，最適用於輸出5W至10W、操作頻率達1 MHz的應用模組。SO-8 IRF7465 MOSFET具備更低RDS(ON)和更低的柵電荷，最適用於操作頻率達500 kHz的10W至20W模組。

對於需要使用200VN MOSFET的模組，IRF5801（TSOP-6）和IRF7464（SO-8）可提供相同效能，並適用10W到20W的功率範圍。相較於現有低功率應用系統內的高功率元件，IR這些最佳化的低功率MOSFET不但能提供相同的內電路效率，又可在20W以下運作，而且更具成本效益。IR也計劃繼續擴展MOSFET系列，滿足DC-DC轉換器的各種應用需要，包括10W與10W以下的供電裝置，到功率達500W的half-brick與quarter-brick模組。

此兩款新產品目前已全面量產上市。

關於美商國際整流器公司 (International Rectifier; IR)

美商國際整流器公司 (International Rectifier, IR, 美國紐約證交所上市代號IRF) 成立於1947年，總部位於美國洛杉磯，為全球電力半導體主要供應商，其產品能轉換電能，應用於電源供應系統、電動馬達及發光電阻等。該公司之專利產品如HEXFET電力MOSFETs、IGBTs和HVICs等，讓IR成為全球電力轉換元件業的領導者；其電源MOSFET專利已授權給超過20家公司，營收一半以上源自美國以外的市場。

IR的先進科技，包括類比電源IC、先進電路晶片、電源系統與元件，在汽車、日用電器、電腦及周邊設備、工業、照明、通訊、軍事、航太方面，改善了電子及電器設備的效能及能源效率。IR協助網路硬體達到更高速度與可靠性，延長可攜式電子設備的電池使用壽命，改善汽車燃料效率，同時減少家庭和工業發動機的能源消耗。

IR全球共有5,100名員工，在美國、墨西哥、英國和義大利設有製造廠，在日本、新加坡和中國大陸設有子公司，在中國大陸、香港、印度、韓國、新加坡和台灣等六個地區設有辦公室。欲進一步了解IR，敬請瀏覽該公司網站http://www.irf.com。