據工商時報報導，由於快閃記憶體（Flash）毛利率較DRAM高出許多，二者在製程轉換上又無須太多的投資，因此繼三星調撥現有DRAM產能生產NAND快閃記憶體後，美光、英飛凌、Hynix等國際大廠都已開始轉移DRAM產能去生產快閃記憶體，因此模組廠創見資訊董事長束崇萬表示，未來DRAM供給成長將更趨緩。

該報導指出，近期DRAM價格雖然較上半年為佳，但相較於NAND快閃記憶體，毛利率仍相對較低，加上DRAM與快閃記憶體間製程相似，無須太多的投資就可直接轉換，因此擁有快閃記憶體製程專利的DRAM大廠，第三季起又開始調撥DRAM產能生產快閃記憶體。

據了解，三星下半年轉撥了二座八吋DRAM廠生產快閃記憶體，在預估2003年產能將較2004年成長三倍下，下半年將會再調撥2至3座8吋DRAM產能；美光、英飛凌、Hynix等三家DRAM廠，現在已經開始進行NAND快閃記憶體研發，下半年起就會陸續調撥DRAM產能生產快閃記憶體。

束崇萬對此一現象指出，國際DRAM廠因近二年來未再擴充產能，且轉撥DRAM產能生產快閃記憶體，DRAM總產出量自然會降低，所以未來DRAM市場供給量成長率將更為趨緩，相對於日益增強的市場需求，對DRAM市場後勢並不悲觀，價格也將緩步上漲，不會像過去幾年一樣出現嚴重下挫情況。