據Digitimes報導,台積電預計2004年7月完成全球首台193奈米浸潤式顯影(Immersion Lithography)機台裝機,將以65奈米製程切入,再向下延伸到45奈米、32奈米製程。台積電資深研發副總蔣尚義表示,該公司浸潤式顯影技術是在曝光源與晶圓加入水作為波長縮短介質,可微縮到132奈米,遠低於157奈米微影機台波長。
該報導指出,台積電在2003年10月訂購全球第一台193奈米浸潤式顯影機台,預計2004年7月可以在12吋晶圓廠裝機。蔣尚義表示,目前台積電在65奈米製程開發上已經開發出0.499平方微米SRAM原型,同時預計近期將發表0.296平方微米的45奈米絕緣層上覆矽技術(Silicon-on-Insulator;SOI)製程。
蔣尚義亦指出,台積電計劃在90奈米製程以手機晶片最早導入產品線,1伏特到3.3伏特泛用型(general purpose)邏輯製程與低功率(low power)製程,預計2004年第二季底進入試產;在65奈米製程進度上,最早導入開發產品線的亦為低功率導向的手機晶片,預計2005年底導入12吋廠。