皇家飛利浦電子集團20日表示，該公司在LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor） 技術上已有重大突破，新一代LDMOS技術可降低3G手機基地台的複雜性和運營成本，同時大幅提升基地台的效能和可靠性。飛利浦新型第四代LDMOS所生產的無線電功率（RF Power）電晶體與傳統的LDMOS相較之 下，所增加的效益與效能更高。因此，無線電功率放大器在運作時所需消耗的能量也就更少。這些新型電晶體具備的優異線性功能即使在高功率環境下，也意味著它們能以超低失真品質滿足多載波W-CDMA和GSM EDGE基地台的需要。

飛利浦半導體LDMOS無線電功率行銷經理Rick Dumont表示，「第4代LDMOS技術的推出，讓無線電功率放大器設計人員有更彈性的設計空間，以及更好的管道解決效率和線性折衷這一類困難的問題。這些新設備更以實惠的價位滿足電信業者們在W-CDMA效能上的要求，增強我們成為主要LDMOS無線電功率設備的手機基礎建設領導供應商的地位。」

飛利浦指出，新型0.6 µm LDMOS技術使無線電功率電晶體的效能推進至另一新的里程碑，其功率密度提高50%，WCDMA效率提升6-8%，功率增益與以前的0.8 µm相比，則提高了2 dB。此外，與傳統LDMOS裝置相比，這些電晶體採用的多層金屬化（double gold metalization）和金屬線間連接（gold-gold wirebonding）專利讓平均無故障時間（Mean Time To Failure）提高8-10倍的效率，允許設計人員可在結點溫度（junction temperature）提高20度的情況下使用。

鑒於W-CDMA功率放大器本身具有的低階系統效能，這些特性可大量減低功耗和改善3G基地台之散熱問題，促使放大器由地面架設朝向天線杆（mast-mounted）架設的趨勢發展。飛利浦第四代LDMOS電晶體的優異補償線性特別適合多載波功率放大器（Multi-Carrier Power Amplifier）和未來的數位預失真（Digital Pre-Distortion）應用。