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台灣成功研發首款平面式多晶矽量子點單電子電晶體
 

【CTIMES/SmartAuto 報導】   2004年09月19日 星期日

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國際性科技期刊「物理評論雜誌」(Applied Physics Letters)將於11月份刊登我國在奈米科技研究上的一項優秀成果,是由高雄縣義守大學電子工程系副教授萬裕民所率領帶領的奈米研究小組與國家奈米元件實驗室所開發的台灣首款「平面式多晶矽量子點單電子電晶體」,該元件電導特性可與歐、美、日類似元件並駕齊驅,也是最省電、體積最小的記憶體。

據了解,這項歷時四年所開發的「平面式多晶矽量子點單電子電晶體」,在室溫下的電導特性極佳,也與現有半導體製程技術完全相容,技術已達國際水準。而所謂「單電子電晶體」是電晶體奈米化後的成果,只需要用到一個或數個電子即可運作,是最省電、體積最小的記憶體,因此研究發展廣受全球矚目。

目前台灣在「單電子電晶體」領域的相關研究發展,約落後歐、美、日等先進國家五年左右,萬裕民表示,這項成果是奈米研究小組與國家奈米元件實驗室歷經四年努力的心血,研究團隊並不以此自滿,未來將致力這項技術的工業應用,希望早日建立台灣優勢,使台灣成為奈米科技的重鎮。

萬裕民原任職工研院,專長矽晶微感測元件設計與製作,於四年前任教義守大學並帶領研究生組成奈米研究小組與國家奈米元件實驗室合作,從事奈米科技相關研究。

關鍵字: 記憶元件 
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