英特尔公司发表3伏特Intel StrataFlash闪存，该产品采用先进的0.25微米制程与多阶微细胞技术，故能在单一高密度的128Mb芯片上兼具程序代码执行与数据储存能力。此支持Page Mode功能之NOR Flash快闪存储元件不仅提供最大的储存容量，并可进行高速44奈秒(ns)的高效率读取，为各种掌上型设备、智能型手机、PC Companion、网络设备、视频转换器，以及其它上网硬件等设备，扩增其功能并增进其上网效率。

英特尔亚太区营销总监黄逸松表示：「我们以2-bit-per-cell的多阶制程技术打破了穆尔定律，提供读取速度更快、密度更高的闪存。这项能让数据及程序代码共存、且功能完备的闪存软硬件组合解决方案，提供OEM厂商一个崭新的设计方案，满足网络链接设备的功能需求。」

此新一代组件单芯片内的储存容量倍增至128Mb，使3伏Intel StrataFlash TM成为容量最大的NOR式闪存，让OEM厂商可以减少主板上芯片的使用数量，甚至改善内部数据储存容量以放入更多客户需求的新功能。而其新增的容量可储存大量数据，以满足下一波网络链接设备的功能需求。

此款3伏特Intel StrataFlash快闪记忆体，透过新增的Page Mode功能，其资料读取速率可达44奈秒(ns)，为一般非同步模式的三倍。 Page Mode介面乃使用一项分离的外部缓冲记忆体来增进其效能。

此项产品预计将有三种不同之容量推出上市。目前，128Mb 3伏特 Intel StrataFlash组件已有样品提供，预计将于九月量产供货。128 Mb产品每千颗量购单价为每颗29.90美元。