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IR推出温度感应MOSFET元件
新元件配备内置感温功能,适用于引擎装置及其他高温应用系统

【CTIMES/SmartAuto 羅智銘报导】   2000年05月11日 星期四

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国际整流器公司(International Rectifier;IR)首次推出TempSENSE HEXFET功率MOSFET元件,当中配备内置式感温二极管,可发挥具成本效益的温度感应效能,为汽车系统及各类型高温应用系统提供妥善保护。

全新的IRLBD59N04E是一种40V、20m奥姆的N信道MOSFET,当中设有两个平联反接多硅二极管,专门用来感应温度。当该组件的温度到达最高限制,每个二极管的正向电压降就会降至约0.4V,偏置电流则维持在250uA的水平,设计人员只需把电路结构稍作改动,就可将这种逻辑组件与原有的微控制器配合使用。

新元件在温度为摄氏175度的情况下顺利通过了Q101汽车应力测试,取得有关品质认可,证明其能在严峻的汽车运作环境下,发挥高度可靠的性能表现。一般来说,摄氏175度是引擎装置及高温应用系统所需的额定温度,因此IR的IRLBD59N04E元件特别适用于电功率辅助式驾驶装置、防震刹车系统及燃油喷注系统,以至电能门锁、窗门升降器及汽车音响电路等。

關鍵字: 平联反接多硅二极管  基纳二极管  Zener Diode  国际整流器公司  温度感测 
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