国际整流器公司 (IR)，推出两款新型HEXFET功率MOSFET - IRF7811W及IRF7822，成功把降压式及隔离式DC-DC拓朴技术的效率提升3﹪。

新型HEXFET功率MOSFET - IRF7811W及IRF7822

IR以先进的「技术工具箱」(Technology Toolbox) ，针对特定应用系统的需要，选择最适合的制程，为设计工程师提供最佳的解决方案。IRF7811W及IRF7822采用划线沟道 (Stripe Trench) 制程，是IR继之前的基准平面组件后，所推出的新产品。

IR公司台湾区总经理朱文义表示：「透过新制程，能替组件导通电阻，并为电容进行去耦，进而可以生产组件导通电阻与门电荷极低的组件，解决功率MOSFET长久以来的问题。」

当DC-DC电路输出电压接近1V水平，操作电流会随之上升。为因应这些操作环境的转变，功率组件必须维持在可接受的转换器效率水平。像高阶笔记本电脑一般需耗用20A电流，需要装设数个平行MOSFET；目前市面上的伺服务及高阶桌面计算机需耗用60至90A电流，通常需采用多相位DC-DC拓朴技术；而新一代GHz级微处理器甚至需要高电流。

朱文义说明：「无论是IRF7811W控制场效应管，或是IRF7822同步场效应管，在高电流降压转换器拓朴技术中，都较业界原有最佳解决方案减少25﹪至50﹪的组件数量，但仍保持相同的效率；而在输入电压为12V、输出电压为1.4V，及每脚操作频率为700KHz的多相位降压转换器中，可达到3﹪的效率成长。若利用两个平行的IRF7822作为同步场效应管，及两个IRF7811W作为控制场效应管，更可在SO-8封装MOSFET中体现每脚35A的输出电流。另一方面，IRF7811W及IRF7822，能在更低的温度下运作DC-DC转换器，并可提高同一面积上的功率密度。」

目前，电信及网络业采用的隔离式转换器，一般多应用自行或以IC驱动的拓朴技术，来启动次阶段MOSFET。在这两种拓朴技术中，因其特殊应用IC需在低电压下运作，故输出电压或低于1.5V，以驱动新一代宽带设备。在此情况下，必须利用同步整流降低功率耗散，才能保持所需效率。

在自行驱动的双阶段隔离式转换器中，以IRF7822取代原有最佳的MOSFET，可达到1﹪以上的效率成长。此外，IR这种新组件能在全负载的48V输入、1.6V和60A输出转换程序中，体现85﹪的运作效率。

在IC驱动的拓朴技术中，若同时采用IR最新的IRF7822同步MOSFET及IR1176同步整流IC，将可在40A及1.5V输出电压环境下，达到85﹪的效率。这是目前业界最高的运作效率。该芯片组还可在简化式前向拓朴技术电路中体现基准性能。