全球供电产品厂商国际整流器公司（IR），推出采用TSOP-6封装的IRF5810双重MOSFET晶体管，将两个P信道(P-channel) HEXFET功率MOSFET结合于单一组件，设计面积仅为1.3 x 2.9毫米。新的解决方案成功把MOSFET数量减半，更可节省50% 设计面积，最适合空间有限的应用系统。设计人员可利用IRF5810取代两个独立TSOP-6负载开关 (load switches)，简化系统设计。新组件还可减低取放成本 (pick and place costs)，降低整体系统成本和改善生产量。IRF5810适用于移动电话、PDA、MP3播放器、笔记本电脑及PCMCIA卡的负载及电池管理电路(load and battery management circuits)。

IRF5810

IR表示，相较于业界采用TSOP-6封装的同类型双重MOSFET，IRF5810的组件导通电阻(device on-resistance, RDS(on)) 低出40%。封装内每个MOSFET能以90mOhms RDS(on)运作。导通电阻的降低有助于提升系统效率，因此可延长电池寿命。

IR台湾分公司总经理朱文义表示：「IRF5810能在有限的印刷电路板空间内拥有最大效能，最适用于手提式电子应用系统。该组件特别为体积最小的应用系统量身订作，可满足严格功能需求。在现今的手提应用系统市场中，IRF5810是性能最高的TSOP-6封装双重MOSFET。」

TSOP-6封装内配备创新的扩展式引线框架(extended leadframe)，可扩大每个芯片的尺寸空间。这种崭新引线框架可增强电流性能及导通效率(on-state efficiency)，但同样可适配于标准的TSOP-6设计。IRF5810可在负载管理电路中取代两个TSOP-6组件，或在电池管理电路(battery management circuits)中取代一个体积更大的TSSOP-8封装双重MOSFET。TSOP-6封装 (2.9 x 1.3毫米) 的面积较TSSOP-8 (2.9 x 4.3毫米) 小70%。